半導体上の微細な配線加工技術として期待されるアルミニウムの化学気相成長について理論的な取扱を試みた。kineticsに基づいたシミュレーションを通じて実験に有意義な情報を得ることを主な目的として、反応機構解明と反応速度算出に特に焦点をあてた。計算法として密度汎関数法を、表面モデルとしてクラスター・モデルを用いた。具体的には、(1)アルミニウム表面上におけるアルミニウムの成長、(2)表面酸化によるアルミニウムの成長阻害、(3)金属原子散布による表面成長への影響、等をモデル化した系を用いて計算をおこなった。
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